新芯片的设计，是非常完美先进的。

而且，新芯片采用的是新材质，而不是硅，性能表现也不一样。

正因如此，新芯片才可以在制程工艺远远落后的情况下，却是全方位超越了锐龙R9 3900X和酷睿i9 9900k。

碳基集成电路技术，不是现在才出现。

未来芯片实验室并不是第一家发现这种技术，而是之前就有实验室发现了这个技术，只是还没有做到成熟而已。

早在一年前，就有实验室通过碳纳米管来制造芯片的核心元器件，也就是晶体管，并且发现由过碳纳米管制作的晶体管，是同尺寸硅材料制作的晶体管的5倍，并且能耗还不到其五分之一。

这是一个重大的发现，也是臻国芯片有可能实现换道超车的突破口。

不过，目前为止，这个技术还只能在实验室实现，而无法做到商业化，更无法实现量产，需要攻克的技术难关还非常多，也只是多了一个突破口，一个可能有用的发展方向。

但未来芯片实验室，就把这个实现做成了成品，并且效果还更好。

未来芯片实验室的新芯片，就是采用碳纳米管制造的碳基芯片，而运算速度做到了同尺寸硅材料制作的晶体管的10倍，其能耗更是不到五分之一。

而且，芯片样品的制造，以及相关测试数据，也证明了量产和商业化的可能性。

在不久前，英特尔公布过10nm制程以及首次展示了10nm的晶圆，而他们的10nm制程可以做到每平方毫米1亿晶体管，而同为10nm制程的台积电为每平方毫米4800万晶体管，三星则是每平方毫米5160万。

这些数据，就是说英特尔在10nm制程晶体管密度做到了极致，但这10nm制程也是相当难产，至今还没有正式推出相关产品。

未来芯片实验室的新芯片在22nm制程，晶体管密度仅做到了每平方毫米2000万晶体管。

单单是22nm制程晶体管密度，未来芯片实验室的芯片已经做到了极致，就连英特尔的22nm工艺也只是做到了每平方毫米1530 万晶体管，这几乎是被认为22nm工艺的极限。

而未来芯片实验室的新芯片，同样是22nm制程，却是可以达到每平方毫米2000万晶体管，比英特尔的1530万晶体管，还多了470万晶体管。

当然，比起英特尔的10nm制程，未来芯片实验室的22制程就落后许多，晶体管密度仅仅只是英特尔10nm的五分之一。

只不过，得益于设计和材质的不同，同样数量的晶体管，碳基芯片的性能却是可以做到十倍以上，也就是新芯片的2000万晶体管，其性能已经超越了英特尔的1亿晶体管，甚至性能增强了一倍。

最重要的是，在性能增强一倍的情况下，碳基芯片的能耗只是后者的五分之一，而且散热更佳。

性能、能耗、散热都处于优势，这才会让封新立说出全方位超越了锐龙R9 3900X和酷睿i9 9900k这种话。

如果仅仅只是性能超越的话，那封新立也不可能会说出全方位超越，也只有在任何方面，都优越于对标产品，才算是全方位超越。

这种碳基芯片，对于半导体来说，可是一次技术上的重大跨越。

现在仅仅只是采用22nm制程，碳基芯片就已经全方位超越了对标产品，如果采用更先进的制程，比如英特尔的14nm制程，甚至是10nm制程的话，其性能又会增强到什么程度，五倍，还是十倍，甚至是更高，这都是有可能的。

正因如此，在测试结果出来后，封新立才会如此激动。